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发布日期:2019-09-23 06:21
信息来源:济南日报 字体:

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  、负载电流IL

  它直接决议于MOSFET输出才能;

  、输入—输出电压

  它受MOSFET负载占空比才能限制;

  、MOS开关频率FS

  这个参数影响MOSFET开关霎时耗散功率;

  、MOSFET最大允许工作温度

  要满足系统指定牢靠性目;

  旦系统工作条件(负载电流,开关频率,输出电压等)被肯定,功率MOSFET在参数方面选择如下:

   、RDSON值

  最低导通电阻,能够减小损耗,并让系统较好工作~,较低电阻MOSFET较高电阻器件。

  、 散热

  假如空间足够大,能够起到外部散热效果,就能够以较低本取得与较低RDSON样效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果,详见下文第行。

   、MOSFET组合

  假如板上空间允许,有时分,能够用两个较高RDSON器件并联,以取得相同工作温度,并且本较低。

  .夹断电压Up

  在UDS为某固定值条件下,使ID等于个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。

  . 开启电压UT

  在UDS为某固定值条件下,使S 极与D 极之间形成导电沟道UGS就开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。

  . 饱和电流IDSS

  在UDS=条件下,漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时沟道电流称为饱和电流,它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。

  . 直流输入电阻RGS

  在场效应管输入端(即栅源之间)所加电压Ucs 与流过栅极电流之比,称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管直流输入电阻为 X Ω,而绝缘栅型场效应管直流输入电阻为 X Ω 以上。

  . 漏源击穿电压BVDS

  在增大漏师、电压过程中.使ID开始剧增UDS值,称为漏源击穿电压。BVDS确定场效应管使用电压。

  . 栅源击穿电压BVGS

  对结型场效应管来说,反向饱和电流开始剧增时UGS值,即为栅游、击穿电压≡于绝缘栅型场效应管来说,它使SiO 绝缘层击穿电压。

  、极限参数

  ID :最大漏源电流.指场效应管正长作时,漏源间所允许通过最大电流.场效应管工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度上升而有所减额.

  IDM :最大脉冲漏源电流.体现个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系,此参数会随结温度上升而有所减额.

  PD :最大耗散功率.指场效应管性能不变坏时所允许最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有定余量.此参数般会随结温度上升而有所减额.(此参数靠不住)

  VGS :最大栅源电压.,般为:-V~+V

  Tj :最大工作结温.通常为 ℃或 ℃ ,器件设计工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有定裕量. (此参数靠不住)

  TSTG :存储温度范围。

  、静态参数

  V(BR)DSS :漏源击穿电压.指栅源电压 VGS 为 时,场效应管正长作所能承受最大漏源电压.这项极限参数,加在场效应管上工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下值作为安全考虑. 加负压更好。

  △V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压温度系数,般为 .V/ ℃.

  RDS(on) :在特定 VGS (般为 V )、结温及漏极电流条件下, MOSFET 导通时漏源间最大阻抗.它个非常重要参数,决定 MOSFET 导通时消耗功率.此参数般会随结温度上升而有所增大(正温度特性). 故应以此参数在最高工作结温条件下值作为损耗及压降计算.

  VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,漏区和源区表面反型层形成连接沟道.应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 毫安时栅极电压称为开启电压.此参数般会随结温度上升而有所降低.

  IDSS :饱和漏源电流,栅极电压 VGS= 、 VDS 为定值时漏源电流.般在微安级.

  IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 般在纳安级.

  常用场效应管参数手册大全

  Cds---漏-源电容

  Cdu---漏-衬底电容

  Cgd---栅-源电容

  Cgs---漏-源电容

  Ciss---栅短路共源输入电容

  Coss---栅短路共源输出电容

  Crss---栅短路共源反向传输电容

  D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流)

  IDM---漏极脉冲电流

  ID(on)---通态漏极电流

  IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流

  IDSM---最大漏源电流

  IDSS---栅-源短路时,漏极电流

  IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流)

  IGF---正向栅电流

  IGR---反向栅电流

  IGDO---源极开路时,截止栅电流

  IGSO---漏极开路时,截止栅电流

  IGM---栅极脉冲电流

  IGP---栅极峰值电流

  IF---二极管正向电流

  IGSS---漏极短路时截止栅电流

  IDSS---对管第管漏源饱和电流

  IDSS---对管第二管漏源饱和电流

  Iu---衬底电流

  Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导

  Gp---功率增益

  Gps---共源极中和高频功率增益

  GpG---共栅极中和高频功率增益

  GPD---共漏极中和高频功率增益

  ggd---栅漏电导

  gds---漏源电导

  K---失调电压温度系数

  Ku---传输系数

  L---负载电感(外电路参数)

  rDS(on)---漏源通态电阻

  rDS(of)---漏源断态电阻

  rGD---栅漏电阻

  rGS---栅源电阻

  Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数)

  R(th)jc---结壳热阻

  R(th)ja---结环热阻

  PD---漏极耗散功率

  PDM---漏极最大允许耗散功率

  PIN--输入功率

  POUT---输出功率

  PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间

  td(off)---关断延迟时间

  ti---上升时间

  ton---开通时间

  toff---关断时间

  tf---下降时间

  trr---反向恢复时间

  Tj---结温

  Tjm---最大允许结温

  Ta---环境温度

  Tc---管壳温度

  Tstg---贮成温度

  VDS---漏源电压(直流)

  VGS---栅源电压(直流)

  VGSF--正向栅源电压(直流)

  VGSR---反向栅源电压(直流)

  VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压

  V(BR)DSS---漏源击穿电压

  V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压

  VDS(sat)---漏源饱和电压

  VGD---栅漏电压(直流)

  Vsu---源衬底电压(直流)

  VDu---漏衬底电压(直流)

  VGu---栅衬底电压(直流)

  Zo---驱动源内阻

  η---漏极效率(射频功率管)

  Vn---噪声电压

  aID---漏极电流温度系数

  ards---漏源电阻温度系数

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